Procédé de croissance de GaN sur un substrat de saphir avec une couche tampon obtenue par pulvérisation cathodique magnétron

Aperçu

La présente invention concerne les techniques de croissance de couches de nitrure de gallium et de matériaux similaires sur un substrat de saphir pour améliorer les performances des transistors à effet de champ métal-semi-conducteur dans le domaine des hyperfréquences de haute puissance.

Transfert de technologie

La technologie est offerte sous licence. Elle pourrait aussi être développée pour des applications spécifiques et pour une démonstration du produit final dans le cadre d’un projet de recherche concerté. L'occasion d'affaires peut être désignée par son numéro d'identification du CNRC, soit 11030.

Applications commerciales

Les applications de cette technologie sont d’un intérêt particulier pour la distribution d’électricité, les technologies de communication, ainsi que les secteurs de la défense et de la sécurité.

Fonctionnement

Les composants à base GaN ont un potentiel d’application considérable dans le domaine des sources d’éclairage à semi-conducteurs et de l’électronique de puissance. La croissance épitaxiale de cristaux de GaN de haute qualité dépend en grande partie de la possibilité de déposer une couche-tampon appropriée avant d’entreprendre la croissance de la couche GaN. La présente invention apporte une méthode unique pour déposer une telle couche-tampon. Il s’agit d’une couche AlN épitaxiale déposée par pulvérisation cathodique magnétron. La couche tampon a une épaisseur d’environ 20 nm. Sur une telle couche-tampon, des couches épitaxiales de GaN offrant une haute mobilité à la température ambiante, 560 cm2/vs, ont été déposées avec succès. L’invention porte sur la procédure détaillée pour la technique de dépôt de la couche-tampon par pulvérisation cathodique magnétron, ce qui permettrait d’améliorer sensiblement la qualité du cristal GaN, critique dans diverses applications électroniques.

Avantages

  • Diodes électroluminescentes à haute intensité
  • Transistors hyperfréquences de grande puissance
  • Qualité cristalline très élevée

Brevet

Renseignements

Pour en apprendre davantage sur cette technologie, prière de communiquer avec :

Roderick Patterson, Conseiller de portefeuille
Téléphone : 613-991-9047
Courriel : Roderick.Paterson@nrc-cnrc.gc.ca

Licence rapide

Cette technologie du CNRC peut être utilisée pour la recherche et le développement en vertu du programme de licences rapides. Pour vous en procurer une, veuillez remplir le formulaire de commande de licence rapide.

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