Essais et caractérisation

Le CCFDP offre des services d'essais et de caractérisation qui complètent ses services d'épitaxie et de fabrication. Les employés du CCFDP ont de l'expérience dans tous les aspects de la caractérisation des matériaux, ainsi que dans l'analyse et des essais de dispositifs discrets et de circuits optiques intégrés.

Nos importantes installations internes de caractérisation de matériaux et d'essais de dispositifs sont un des éléments cruciaux qui nous permettent d'améliorer le rendement des dispositifs et de maintenir la qualité de notre production. Le CCFDP possède de l'instrumentation et du matériel d'essai pour faire les analyses suivantes.

Techniques analytiques et caractérisation des matériaux

  • Interférométrie (en lumière blanche et en UV-visible)
  • Ellipsométrie
  • Analyse des contraintes
  • Microscopie électronique à balayage à émission de champ (FE-SEM)
  • Mesure des profils C-V
  • Microscopie à forces atomiques (AFM) et microscopie à capacité à balayage (SCM) Microscopie Auger à balayage (SAM)
  • Spectroscopie de photoélectrons par rayons X (XPS)
  • Spectroscopie de masse d'ions secondaires (SIMS) dynamique Microscopie électronique par transmission (TEM)
  • Diffraction de rayons X haute définition (HRXRD)
  • Effet Hall pour la concentration et la mobilité des porteurs
  • Inspection des surfaces Nomarski
  • Comptage et cartographie des défauts SurfscanMCCartographie de la réflectance spectrale
  • Cartographie de la photoluminescence

Essais optiques et électriques

  • Mesure de paramètres optiques critiques des matériaux, incluant l'indice de réfraction, l'absorption et la biréfringence, par ellipsométrie, par spectroscopie des modes guidées, et par des méthodes de densité spectrale de puissance
  • Capacité de caractérisation intégrale des dispositifs à guide d'ondes, incluant les pertes de guide d'ondes, la biréfringence et la spectroscopie d'absorption, à partir du visible jusqu'à l'infrarouge proche
  • Réponse spectrale, pertes d'insertion, dispersion des modes de polarisation et pertes induites par la polarisation dans les dispositifs passifs
  • Mesures au laser courantes, incluant l'analyse L-I-V, l'efficacité quantique, la dépendance thermique et la caractérisation spectrale Essais des dispositifs optoélectroniques actifs, incluant la réponse d'impulsion, et la caractérisation électrique ordinaire, incluant les mesures d'impédance et de transconductance c.c. et de basse fréquence, de 80 K à 500 K
  • Caractérisation des couches optiques dans le visible et l'infrarouge
  • Mesures de la densité spectrale de puissance pour la polarisation TM/TE Caractérisation I-V
  • Réponse en fréquence et réponse au bruit d'intensité relative Efficacité quantique
  • Réponse spectrale Propriétés thermiques
  • Analyse de l'amplification Mesure de la transparence et des pertes de cavité
  • Analyse des paramètres de semi-conducteursRendement c.c. et RF