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Jean-Marc Baribeau
Téléphone : 613-993-8249
Télécopieur : 613-941-4667
Courriel : Jean-Marc.Baribeau@nrc-cnrc.gc.ca
Spectrométrie de masse d'émission ionique secondaire (SIMS)
La spectrométrie de masse des ions secondaires est utilisée pour sonder la distribution des impuretés et des dopants dans les matériaux solides. Des ions à haute énergie sont utilisés pour pulvériser l’échantillon solide et les ions éjectés de la matrice sont analysés par des techniques de spectrométrie de masse (filtrage de masse électrostatique ou magnétique).
L’institut utilise un appareil de SIMS quadripolaire électrostatique PHI Adept 1010. Ce système peut fonctionner avec une source d’ions Cs ou O (250 eV – 10 k2V) et est particulièrement bien adapte au profilage chimique superficiel (les premiers 10 nm en profondeur) sur une plage de 1-300 uma. Cet instrument est utilisé surtout pour sonder les profils de composition en profondeur (résolution de 4 nm) dans les structures stratifiées de semi-conducteurs et mesurer la distribution des dopants et impuretés dans les films minces des semi-conducteurs et les couches épitaxiales. Des concentrations de dopants de l’ordre de 1015-1020 atomes par cm cube sont mesurées régulièrement avec cet instrument.
Le SIMS est utilisé pour optimiser les procédés liés aux semi-conducteurs (contrôle de la qualité), mesurer les dopants et détecter les contaminants dans les gaufres semiconductrices et divers films minces.
