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- Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques du CNRC
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Personne-ressource
Sylvain Charbonneau
Téléphone : 613-998-9414
Télécopieur : 613-957-8734
Courriel : Sylvain.Charbonneau@nrc-cnrc.gc.ca
Conception et test de dispositifs semi-conducteur
Dispositifs quantiques et photoniques
- Caractérisation de dispositifs à guide d'ondes passif, comprenant la réponse spectrale, les pertes d'insertion, la dispersion modale due à la polarisation, la spectroscopie par absorption et les pertes reliées à la polarisation.
- Caractérisation de lasers à semi-conducteur – T de 5°C à 80°C, courant seuil, courant de transparence, bruit d’intensité relative, pertes internes, efficacité quantique, résistances en série et thermique.
- Sources de lumière accordables de 1460 nm à 1630 nm, et de 1280 nm à 1330 nm, de même que des sources laser discrètes dans le visible et l’infrarouge proche.
- Spectroscopie d’émission de l’ultraviolet à l’infrarouge proche. Trois détecteurs sont disponibles couvrant la gamme de longueurs d’onde allant de 300 nm à 1700 nm : un photomultiplicateur à température ambiante S20 en mode comptage de photons, une photodiode avalanche au silicium refroidie par effet thermoélectrique et une diode p-i-n en germanium de grande pureté refroidie à l’azote liquide.
- Stations de diagnostic manuelles et semi-automatiques pour des composants de 80 K à 500 K utilisant des mesures d’impédance et de transconductance à courant continu et à basse fréquence.
- Mesure de signaux hautes fréquences (40 GHz) et de bruit pour les composants électroniques.
- Série complète de logiciels commerciaux et internes pour la conception, la simulation et l’analyse de composants électroniques, incluant la dynamique des porteurs et les distributions thermiques.
- Série élaborée de logiciels commerciaux et internes pour la conception, la simulation et l’analyse de composants photoniques, incluant différentes approches numériques telles que les éléments finis (FEM), les différences finies dans le domaine spatio-temporel (FDTD) et la méthode de propagation BPM.
- Modélisation par la méthode aux éléments finis du stress et de ses effets optiques dans les composants optoélectroniques.
- Laser accordable Cr4+:YAG pouvant fournir 200 mW de puissance continue sur une bande de 200 nm centrée sur 1450 nm.
- Laser à impulsions ultracourtes Cr4+:YAG pouvant fournir des impulsions de 40 fs à 1550 nm à une puissance moyenne de 250 mW
- Laser à haut taux de répétitions (1 kHz) générant des impulsions de 3 ns à 1064 nm avec énergie d’impulsion de l’ordre du millijoule.
- Banc de mesure, pico-ampère-mètre et appareil de mesure d’impédance pour mesurer les courbes caractéristiques capacité-tension et courant-tension des composants métal-isolant-semi-conducteur.
- Montage pour mesures de transport de dispositifs opérant avec des courants de 100 fA et plus, des fréquences de DC à 50 GHz, des températures de 6 mK à la température ambiante, et des champs magnétiques de 0 à 18 T.
