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Philip Poole
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Courriel : Philip.Poole@nrc-cnrc.gc.ca
Système d'épitaxie par faisceaux moléculaires d'arséniures V90 (ISM)
L’épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) est une méthode de croissance cristalline dans laquelle les atomes sont déposés de façon ordonnée sur un substrat cristallin dans un environnement ultravide. Au moyen d’un arsenal de sondes in situ, la croissance peut être contrôlée avec une précision supérieure à une mono-couche atomique. C’est une méthode de choix pour le développement d’hétérostructures de semi-conducteurs d’avant-garde exploitant les phénomènes quantiques, comme les lasers à semi-conducteurs, les systèmes de points quantiques, les diodes à effet tunnel et divers dispositifs à effet quantique. Le système MBE V90+ est un système aux spécifications uniques permettant la croissance d’un vaste éventail de composés de semi-conducteurs de type III-V, y compris les arséniures, les antimoniures et les nitrures dilués. L’automatisation du transfert des gaufres, avec un système de contrôle informatique sophistiqué, permet l’opération continue pour la production en série de gaufres de semi-conducteurs. Le système est compatible avec les gaufres de 50 à 100 mm de diamètre. On peut y faire la synthèse d’un éventail de structures multicouches complexes utilisant Ga, In et Al comme matériaux du groupe III, et As, Sb et N comme matériaux du groupe V, ainsi que Si et Te pour le dopage de type-n et Be pour le dopage de type-p. Le système est équipé d’un système de RHEED sophistiqué pour la surveillance de la reconstruction superficielle, un système de thermométrie par absorption optique, un pyromètre optique et un système de réflectance de double longueur d’onde pour la mesure du taux de croissance en temps réel. Le système comporte également plusieurs spectromètres de masse quadripolaires, y compris un spectromètre conçu pour la spectrométrie de masse des espèces désorbées pour permettre l’étude de la chimie de surface durant la croissance.
