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Information pertinente
Instituts et programmes
- Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques du CNRC
- Centre de technologie des transports de surface du CNRC
- Conseil national de recherches Canada
- Initiative en génomique et en santé du CNRC
- Institut de recherche aérospatiale du CNRC
- Institut de recherche en construction du CNRC
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Personne-ressource
André Parent
Téléphone : 613-990-0450
Courriel : Andre.Parent@nrc-cnrc.gc.ca
Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques
Prototypage
Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques (CCFDP)
- 11 000 pi2 de salle blanche (classe 1000/100)
- sur substrat allant jusqu'à 6 pouces de diamètre
- MOCVD- Thomas Swann- multiplaquettes de 2 à 6 pouces de diamètre
- Caractérisation
- Cartographie par réflectance spectrale et par photoluminescence - Accent
- Profilage électrochimique (Polaron) – Accent
- Effet Hall pour la concentration et la mobilité des porteurs
- Diffraction de rayons X à haute résolution à cristaux doubles – Philips
- Lithographie par faisceau d'électrons à écriture directe - JEOL JBX 6000 FS/E
- Résolution de 20 nm, 40 nm de positionnement, d'alignement de superposition et d'alignement de champs, lithographie sur substrats de 50 à 200 mm de diamètre et morceaux, fabrication de masques lithographiques de 100 à 150 mm
- Stepper (pas à pas) – ASML 5500/100 - résolution de 0.4 um (avec 70 nm d'alignement de superposition)
- Nano-impression – IMPRIO 100 de Molecular Imprints Inc. - résolution de 50 nm, substrat jusquà 200 mm de diamètre, surface imprimée jusqu'à 25x25 mm, alignement de 250 nm
- Aligneur par contact – Karl Suss MA6 and MJB3
- Réseaux holographiques - système automatisé unique
- Dépôt par CVD
- PECVD – STS (2) et Trikon Delta pour oxynitrure (ajustement de l'indice de réfraction et du stress), oxyde, nitrure, oxydes dopés (P, B, Ge, etc.)
- LPCVD – Tystar pour silicium polycristallin
- Thermique – Tystar pour oxyde jusquà 15 microns d'épaisseur
Gravure par palsma
- Gravure profonde du silicium par RIE – avec source plasma haute densité ICP et refroidissement cryogénique
- Gravure profonde d'oxyde par RIE – STS AOE
- Gravure RIE de diélectriques - PlasmaTherm et Tegal 901 (3)
- Gravure ICP de matériaux III-V – Trikon Omega
Gravure humide
- Multiples bancs humides dédiés au traitement de Si et III-V
- Gravure automatisée d'un seul côté – Matech WaveEtch
- Chimie sélective et non-sélective
Autres procédés de salles propres disponibles :
- Matériaux déposés par tournette (BCB, SOG, polymères)
- Enlèvement de résine par plasma en amont – Matrix
- Recuit et refusion de films obtenus par PECVD
Inspection et contrôles
- Microscopie optique
- Microscopie électronique à balayage – Hitachi 4700FE
- Profilométrie de surface (avec ou sans contact) – Tencor P10
- Ellipsométrie
- Mesure du stress – FSM
- Inspection de surface Nomarski
- Surfscan pour le comptage et la cartographie des défauts/particules
Traitement en fin de procédé
- Électroplaquage d'or
- Marquage du recto
- Amincissage et polissage de substrat à moins de 100 um d'épaisseur
- Dépôt par pulvérisation et recuit thermique de métaux au verso
- Démontage et nettoyage de substrats
- Rainurage et clivage, sciage et découpage
- Dépôt de couches anti-réflection sur les facettes
- Fixage et connexion de dispositifs (puces)
