Liens de la barre de menu commune
Information pertinente
Instituts et programmes
- Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques du CNRC
- Centre de technologie des transports de surface du CNRC
- Conseil national de recherches Canada
- Initiative en génomique et en santé du CNRC
- Institut de recherche aérospatiale du CNRC
- Institut de recherche en construction du CNRC
- Institut de technologie de l'information du CNRC
- Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Institut du biodiagnostic du CNRC
- Institut national de nanotechnologie
- Portail du réseau d'imagerie du CNRC
Secteurs industriels clés
Domaines scientifiques
Communautés
Carrières
Actualités
Événements
Personne-ressource
Jean-Marc Baribeau
Téléphone : 613-993-8249
Télécopieur : 613-941-4667
Courriel : Jean-Marc.Baribeau@nrc-cnrc.gc.ca
Diffractomètre à rayons X haute résolution PANalytical MRD
Le système Panalytical (autrefois Philips) MRD est un diffractomètre vertical à rayons X haute résolution qui offre une capacité de cartographie en espace réciproque. La source de rayons X fournie une radiation Cu kα1 de faible divergence angulaire (5 ou 12 secondes d’arc) à l’aide d’un monochromateur Ge(220) de type Bartels 4-rebonds. L’optique secondaire est munie d’une fente verticale dédiée aux mesures de courbes oscillantes à haute résolution de films minces épitaxiaux, de multicouches et de nanostructures. Un analyseur à double rebond permet d’effectuer des mesures en axe triple pour la cartographie de l’espace réciproque. Le porte-échantillon accepte une gaufre semiconductrice jusqu’à 150 mm de diamètre et offre une capacité de translation pleine dimension permettant d’étudier les propriétés d’une gaufre sur toute sa superficie.
La diffraction à haute résolution permet la détermination de l’épaisseur, de l’orientation cristallographique et de la qualité des films minces, et en particulier des couches épitaxiales. La diffraction coplanaire haute résolution dans la géométrie symétrique ou asymétrique sert à déterminer la constante de réseau et la tension des films minces épitaxiaux. La cartographie en espace reciproque quant à elle renseigne sur l’état de contrainte et la mosaicité cristalline. Cet instrument peut aussi être utilisé pour la mesure de réflectométrie des rayons X à incidence rasante. Cette méthode permet la détermination de la rugosité de surface et la densité et l’épaisseur des films minces.
