Déposition de matériaux inorganiques
- épitaxie par jets moléculaires
- épitaxie III(SVTA S35N)
- matériaux axé sur GaAs (VG V80H)
- composés III-V (VG-V90)
- épitaxie par jets chimiques
- matériaux axé sur InP (Riber32P)
- composés III-V (Hitachi-Ulvac)
- système de pulvérisation magnétron& AC- ADS-800
- système de pulvérisation à double faisceau ionique - Veeco-IonTech Spector
- système de placage ionique - Balzers BAP 800
- système d'évaporation assistée d'un faisceau ionique - Balzers BAK 760
- systèmes de dépôt combinées à vide ultra-poussé – design sur-mesure - avec procédés MOCVD et ALD
Déposition de matériaux organique
- pulvérisation cathodique (multi-cibles) avec un ellipsomètre JY MM-16 in-situ
- pulvérisation cathodique RF magnétron – oxydes conducteurs
- evaporation thermique-Edwards Auto-306 & Auto-500 Multi-Sources
- système de dépôt de Parylène – PDS 2010
- tournette – Headway EC101DT
- outils en grappe – Kurt J. Lesker (fabrication de dispositifs)
Nom de l'édifice:
Édifice A.G.L. McNaughton
Numéro de l'édifice:
M-50
Information pertinente
Instituts: