Daniel Poitras
Téléphone : 613-990-5965
Télécopieur : 613-952-5711
Courriel : Daniel.Poitras@nrc-cnrc.gc.ca

Le dépôt par pulvérisation est une méthode sous vide de dépôt physique en phase vapeur (PVD) de couches minces qui utilise un faisceau énergique d’atomes ou d'ions pour éjecter du matériel d'une cible, qui se dépose ensuite sur un substrat. Les nombreux paramètres qui contrôlent le dépôt par pulvérisation rendent le processus complexe, mais permettent un grand degré de contrôle sur la croissance et la microstructure des couches.
Le système ADS utilise comme sources de pulvérisation des magnétrons qui, avec des champs magnétiques, trappent des électrons à proximité d’une surface où se trouve le matériel cible. Des ions sont créés et dirigés vers la surface de la cible. Les atomes pulvérisés sont électriquement neutres et donc pas affectés par le piège magnétique. L’accumulation statique de charges sur des cibles diélectriques peut être évitée avec l'utilisation d’un alimentation électrique CA ou DC pulsée. Dans ce que l'on appelle la pulvérisation réactive, l’ADS peut déposer des couches diélectriques à partir de cibles de métal et de semi-conducteurs.