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Philip Poole
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Système d'épitaxie par faisceaux chimiques III-V Riber 32P (ISM)
L’épitaxie par faisceaux chimiques (CBE) est une méthode de croissance cristalline dans laquelle les atomes sont déposés de façon ordonnée au moyen de jets gazeux sur un substrat cristallin dans un environnement ultravide. Au moyen d’un arsenal de sondes in situ, la croissance peut être contrôlée avec une précision supérieure à une mono-couche atomique. C’est une méthode de choix pour le développement d’hétérostructures de semi-conducteurs d’avant-garde exploitant les phénomènes quantiques, comme les lasers à semi-conducteurs, les systèmes de points quantiques, les diodes à effet tunnel et les dispositifs exploitant des effets quantiques. Le système Riber 32P est dédié à la croissance d’un éventail de composés de semi-conducteurs III-V basés sur les arséniures et les phosphures. Le système peut utiliser des gaufres pouvant aller jusqu’à 75 mm de diamètre et peut produire des structures multicouches complexes à partir du Ga et In comme matériaux du groupe III et As et P comme matériaux du groupe V. Le Si est utilisé pour le dopage de type-n et Be ou Zn pour le dopage de type-p. De plus, l’utilisation de sources organométalliques du groupe III en CBE permet l’épitaxie sélective. Le réacteur est doté d’un système de thermométrie par absorption optique, d’un pyromètre optique et d’un système de réflectance de double longueur d’onde pour la mesure du taux de croissance en temps réel.
